Китайская компания Numemory, производящая микросхемы, расширяет свою линейку памяти класса хранения данных (SCM), выпустив NM102 - 128-гигабитный (16 Гб) чип одноуровневой ячеистой памяти. Этот новый чип значительно превосходит по емкости свой первый 64-гигабитный NM101, который был выпущен еще в сентябре 2023 года.
Компания, расположенная в Ухане и официально известная как Xincun Technology, создала эти чипы памяти, чтобы объединить производительность, подобную DRAM, с преимуществами флэш-памяти NAND. NM102 по-прежнему использует стандартный интерфейс NAND 3200 МТ/с и напряжение ввода/вывода 1,2 В, как и его старшая модель, но теперь он оснащен вдвое большим объемом памяти.
Технология Numemory нацелена на время отклика на уровне микросекунд, располагаясь между молниеносной наносекундной скоростью DRAM и более медленным темпом традиционной флэш-памяти NAND. Чтобы дать Вам представление, большинство современных чипов 3D TLC NAND выполняют операции чтения примерно за 80 микросекунд, а время записи составляет сотни микросекунд.
Эти новые чипы можно использовать в качестве строительных блоков для твердотельных накопителей, но их низкая емкость на чип может стать небольшим препятствием для основных форм-факторов. Например, для твердотельного накопителя M.2-2280 потребуется довольно много таких чипов, чтобы достичь конкурентоспособной емкости, поскольку на каждой стороне можно разместить только четыре блока памяти.
В компании Numemory, основанной в июле 2022 года, сейчас работает около 220 сотрудников - и примерно 80% из них занимаются исследованиями и разработками. Несмотря на то, что компания не раскрывает подробностей о том, как она производит эти чипы, или о технических деталях технологии, это достижение знаменует собой еще один шаг в стремлении Китая к самодостаточности полупроводников. Это тем более заметно сейчас, когда аналогичные технологии, такие как память Optane от Intel, больше не существуют.
Источник(и)
TomsHardware (на английском языке) и Numemory (на китайском языке)