Intel рассказала об успехах на поприще производства памяти MRAM

Справедливости ради стоит заметить, что MRAM – это не совсем-то и новинка: первые разработки в этом направлении начались ещё в прошлом веке, а прямо сейчас на рынке есть ряд производителей (Global Foundries, TSMC и т.д.), выпускающих или планирующих выпуск соответствующих накопителей. Однако загвоздка состоит в том, что магниторезистивная память на сегодняшний момент проигрывает флеш-памяти по размерам ячейки. И даже несмотря на высокую энергонезависимость и скорость считывания/записи данных, MRAM пока что не только не вытеснила другие типы накопителей с рынка, но ещё и сама на нём прочно не укрепилась.

Вот тут-то в игру и вступает Intel, представители которой сделали специальный доклад, посвящённый SST-MRAM («spin-transfer torque magnetoresistive random access memory», т.е. магниторезистивная оперативная память, которая использует для записи перенос спинового момента электрона) на конференции ISSCC 2019. Компания объявила, что приготовления к массовому производству накопителей такого типа уже находятся на финальной стадии. Ходят слухи, что для производства MRAM были задействованы мощности компании, ранее используемые для выпуска 14-нм продуктов. Однако для создания накопителей с магниторезистивной памятью планируется применять 22-нм техпроцесс (а площадь одной ячейки составляет всего 0,0486 мкм²). Интересно, что, судя по отчёту представителей Intel, количество брака при производстве почти сведено к нулю: уровень выхода годных ячеек составляет 99,998 %.

Чем же так интересна MRAM? Дело в том, что данный тип памяти энергонезависим (способен сохранять информацию при отсутствии внешнего питания), устойчив к износу (может хранить информацию 10 лет при температуре 200°C, а также выдерживать свыше миллиона циклов переключения) и показывает высокую скорость считывания и записи данных (настолько большую, что, гипотетически, обладающий такой памятью компьютер мог бы включаться мгновенно). Скорость эта зависит от напряжения и может изменяться: например, при 0.9 В скорость чтения составит 4 нс, а при его снижении до 0.6 В она увеличится до 8 нс.

Магниторезистивной оперативной памяти прочат яркое будущее, где она заменит NAND, SRAM (статическую память с произвольным доступом) и, в один прекрасный день, даже DRAM (динамическую память с произвольным доступом). Но до этого ещё очень далеко: пока что ёмкость одного блока STT-MRAM составляет всего 7 Мбит. Те же накопители Optane, несмотря на свою энергонезависимость и скорость, всё ещё не смогли подвинуть своих твердотельных конкурентов.

Поговаривают, что Intel уже выпускает для некоторых своих партнёров однокристальные системы и контроллеры с массивами магниторезистивной оперативной памяти, а в будущем планирует применять данный тип памяти в самой различной продукции.

Источник(и)