Notebookcheck Logo

Модули DDR5 от Micron достигают скорости 9200 МТ/с с помощью EUV-литографии

Micron представляет 1γ-узловую память DDR5 со скоростью 9200 МТ/с и улучшенной энергоэффективностью. (Источник изображения: Micron)
Micron представляет 1γ-узловую память DDR5 со скоростью 9200 МТ/с и улучшенной энергоэффективностью. (Источник изображения: Micron)
Компания Micron первой начала поставки модулей DDR5, созданных с помощью литографии EUV на новом узле 1-gamma. Это достижение обеспечивает 15-процентное увеличение скорости до 9200 МТ/с при снижении энергопотребления на 20 процентов и увеличении плотности на 30 процентов.

Компания Micron Technology только что стала первым производителем памяти, отгрузившим образцы модулей DDR5, созданных на шестом поколении 10-нм узла DRAM, также известного как 1γ (1-гамма). Впервые в истории компания Micron использует литографию EUV (экстремальный ультрафиолет) в своем производственном процессе, что дает заметный выигрыш в скорости, энергоэффективности и выходе продукции.

Благодаря этому новому подходу ИС DDR5 объемом 16 ГБ компании Micron могут достигать скорости до 9200 МТ/с. Это значительный 15-процентный прирост производительности по сравнению с предыдущим поколением 1β (1-beta), при этом энергопотребление снизилось более чем на 20 процентов. Кроме того, обновленная технология производства обеспечивает более чем 30-процентную плотность битов, что может помочь снизить затраты, когда производственный процесс станет более совершенным.

"Опыт компании Micron в разработке собственных технологий DRAM в сочетании с нашим стратегическим использованием литографии EUV привели к созданию надежного портфеля передовых продуктов памяти на базе 1γ, способных продвинуть вперед экосистему ИИ", - сказал Скотт ДеБоер, исполнительный вице-президент Micron и директор по технологиям и продуктам.

Микрон планирует использовать узел 1γ в широком спектре будущих решений в области памяти, включая:

Приложения для центров обработки данных: Обеспечение до 15 процентов более высокой производительности наряду с улучшенной энергоэффективностью для снижения энергопотребления и тепловыделения.

Мобильные устройства: Варианты LPDDR5X будут поддерживать передовые возможности искусственного интеллекта прямо на Вашем смартфоне или планшете.

Автомобильные системы: LPDDR5X со скоростью до 9600 МТ/с увеличит емкость, продлит срок службы изделий и обеспечит более высокую производительность.

И AMD, и Intel уже начали проверку новой линейки DDR5 от Micron. Амит Гоэл (Amit Goel), корпоративный вице-президент по разработке решений для серверных платформ в AMD, подчеркнул, что это сотрудничество согласуется с усилиями компании по дальнейшему совершенствованию процессоров EPYC и аппаратного обеспечения, ориентированного на потребителей. В то же время д-р Димитриос Зиакас из Intel обратил внимание на улучшенную энергоэффективность и более высокую плотность, которые будут полезны для серверных сред и ПК, управляемых искусственным интеллектом.

В настоящее время Micron производит эти 1γ DRAM-чипы на своих предприятиях в Японии, где компания представила свою первую систему EUV-литографии в 2024 году. По мере наращивания производства компания Micron планирует установить дополнительное EUV-оборудование на своих предприятиях в Японии и на Тайване.

Источник(и)

Micron (на английском языке)

Этот важный материал точно понравится твоим друзьям в социальных сетях!
Mail Logo
'
> Обзоры Ноутбуков, Смартфонов, Планшетов. Тесты и Новости > Новости > Архив новостей > Архив новостей за 2025 год, 02 месяц > Модули DDR5 от Micron достигают скорости 9200 МТ/с с помощью EUV-литографии
Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)