Appleпроизводитель микросхем, компания TSMC, по сообщениям , готовится начать пробное производство 2-нм чипов на следующей неделе, что станет вехой на пути к внедрению этой экстремальной технологии в кремний Apple через много лет. Это может оказаться большим выигрышем в плане повышения производительности и эффективности систем для Apple.
Пробное производство 2-нм чипов будет осуществляться на заводе TSMC в Баошане на севере Тайваня. Хотя предприятие установило оборудование, предназначенное для производства 2-нм чипов, в начале этого года, это доказывает тот факт, что компания не перестает внедрять инновации в полупроводниковые технологии.
К 2025 году Apple полностью перейдет на 2-нм техпроцесс для своего заказного кремния и повысит производительность и функциональность своих устройств. Это свидетельствует о том, что Apple стремится к инновациям и максимально возможным достижениям на самой границе технологии производства чипов.
Массовое производство 2-нм чипов для TSMC планируется начать в следующем году. Для этого сначала необходимо стабилизировать выход продукции, а затем увеличить скорость производства. Ускоренные сроки являются подтверждением того факта, что если Вы хотите быть впереди всех, компания должна двигаться быстро в этой отрасли.
Хотя TSMC по-прежнему остается единственной компанией, которая может массово производить 2-нм и 3-нм чипы по стандартам Apple, ее неотъемлемая роль в будущем развитии технологии чипов не изменилась. Доступные производственные мощности TSMC для производства 3-нм чипов уже заняты Apple. По слухам, к концу этого года чипмейкер утроит свои производственные мощности для этого узла, чтобы удовлетворить растущий спрос Apple.
Полученные в результате пробного производства 2-нм чипы могут впервые появятся в серии Apple iPhone 17 в 2025 году. Если верить сообщениям, это должно принести новое измерение производительности и эффективности для Apple'флагманских устройств. Это еще раз характеризует, насколько серьезно Apple относится к тому, чтобы оставаться на переднем крае технологии чипов.