Neo Semiconductor представила ОЗУ 3D X-DRAM со структурой флеш-памяти и высокой плотностью хранения данных

Американская компания по выпуску 3D NAND-памяти Neo Semiconductor представила чипы 3D X-DRAM, которые впервые заимствуют структуру 3D NAND (флеш-память, использующаяся в SSD) для построения оперативной памяти DRAM. Новая технология дает возможность существенно повысить емкость: 3D X-DRAM позволяет создавать 128-Гбит чипы с 230-слойной памятью, плотность хранения данных у которой в 8 раз больше по сравнению с обычной 2D DRAM памятью. Neo Semiconductor также заявляет, что новая технология легко масштабируется и будет дешевле в производстве по сравнению с другими вариантами многослойной DRAM-памяти, что в итоге сделает 3D X-DRAM полноценным конкурентом обычной 2D-памяти в будущем.

Преимущество новой технологии лежит в использовании дизайна Floating Body Cell (FBC), который предполагает создание ячеек для хранения битов с использованием только транзисторов, без конденсаторов. В отличие от других технологий по созданию 3D DRAM памяти с более сложной структурой, 3D X-DRAM использует позаимствованные у 3D NAND памяти хорошо отработанные процессы, предполагающие меньшее количество слоев для создания структуры ячеек хранения данных. Такой подход позволяет удешевить и упростить производство, а также в теории ускорит переход с 2D- на 3D-DRAM.

Neo Semiconductor уже опубликовала необходимые патенты и USPAP-стандарты для новой технологии в апреле 2023. Компания верит, что продвижение 3D X-DRAM памяти поможет удовлетворить спрос на высокопроизводительные вычислительные системы, который растет вследствие развития ИИ. По оценкам Neo Semiconductor, емкость чипов оперативной памяти может вырасти до 256 Гбит к 2025 году, а также до 1 Тбит к 2030. Скорее всего, мы вновь услышим о 3D X-DRAM на мероприятии Flash Memory Summit, которое запланировано на 9 августа 2023.