SK Hynix стартует массовое производство 238-слойной 4D NAND памяти: NVMe SSD с интерфейсом PCIe 5 станут на 20% быстрее

Накопители NVMe SSD с интерфейсом PCIe 5.0 пока-что встречаются довольно редко. В теории они должны были обеспечить двукратный рост скорости по сравнению с моделями на базе PCIe 4, однако на практике скорость меньше, да и греются новые накопители порядочно. Один из самых быстрых на сегодняшний день накопителей - Crucial T700 - достигает лишь 12.4 ГБ/с, которые все еще не дотягивают теоретического максимума на уровне 14 ГБ/с. Ограничение обусловлено, в первую очередь, характеристиками самих чипов памяти, а не только контроллеров PCIe. Тут на сцену и выходит новая 238-слойная 4D NAND память от SK Hynix, которая уже поступила в массовое производство и должна помочь устранить отставание от теоретического максимума.

Топовые смартфоны и потребительские NVMe SSD скоро получат апгрейд скорости за счет перехода на 238-слойную 4D NAND память, производство которой стартовало в конце мая в Южной Корее. В SK Hynix утверждают, что новые чипы самые маленькие среди аналогичной NAND-продукции, а эффективность их производства возросла на 34% по сравнению с предыдущими 176-слойными моделями. Стоимость производства осталась неизменной, однако за счет конкурентоспособной цены и ожидаемого спроса, новая продукция должна окупиться и принести прибыль уже до конца года.

Каждый новый чип с 238-слойной памятью будет обеспечивать пропускную способность 2.4 Гбит, которая на практике должна обеспечить ~20% рост скорости чтения/записи у готовых накопителей. Благодаря такому приросту производительности NVMe SSD с интерфейсом PCIe 5 смогут обеспечить реальные 14 ГБ/с. На данный момент SK Hynix тестирует совместимость продукции совместно с производителями смартфонов и обещает начать продажи во второй половине 2023 года.