Samsung анонсировала память следующего поколения UFS 4.0

В наши дни производители смартфонов, планшетов и другой портативной электроники стараются подчеркнуть ее актуальность и привлекательность, указывая среди характеристик версию стандарта универсальной флеш-памяти JEDEC (UFS); наиболее продвинутой до этого дня считалась UFS 3.1. Теперь же синонимом максимальной скорости будет выступать стандарт UFS 4.0: компания Samsung сообщила, что разработала соответствующие чипы памяти.

По факту корейский производитель представил чипы нового поколения, которые по своим характеристикам соответствуют разработанному JEDEC стандарту. Сообщается, что они обеспечивают пропускную способность в 23.2 Гб/с на каждую линию, что в два раза выше, чем у UFS 3.1.

Обеспечить столь высокую пропускную способность удалось благодаря переходу на 176-слойную память V-NAND седьмого поколения, которая работает совместно с фирменным контроллером Samsung с поддержкой UFS 4.0. Производитель сообщает, что новый чип способен обеспечивать скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с и последовательной записи до 2800 МБ/с.

Дополнительно известно о сниженном энергопотреблении новых UFS чипов: на каждый миллиампер тока приходится 6 МБ/с скорости чтения/записи. По сравнению с предыдущим поколением энергопотребление в целом снизилось на 46%.

Очевидно, что память Samsung поможет лучше подготовить смартфоны и другие мобильные устройства к использованию в скоростных сетях 5G, а также в приложениях расширенной/дополненной/виртуальной реальности и умных средствах передвижения будущего.

Массовое производство UFS 4.0, по расчётам Samsung, начнется в третьем квартале 2022. Сами чипы будут довольно компактными (~11 x 13 x 1 мм), но по емкости достигнут 1 ТБ.