Samsung делает шаг вперёд к внедрению скоростной памяти eUFS 3.0

Южнокорейский гигант электроники анонсировала начало массового производства флеш-памяти стандарта eUFS 3.0 на 512 ГБ. До этого момента память eUFS 3.0 использовалась только в ультратонких ноутбуках. Особенностями данной спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) являются: скорость последовательного чтения – 2100 МБ/с (что вдвое быстрее прошлого поколения, eUFS 2.1, показывающего скорость до 1000 МБ/с, и превышает скорость microSD в 20 раз), последовательной записи — 410 МБ/с (эквивалентно скорости твердотельного накопителя SATA). Производительность в операциях чтения с произвольным доступом, в свою очередь, составляет 63 000 IOPS, а записи — 68 000 IOPS.

Чипы накопителей стандарта eUFS 3.0 на 512 ГБ будут включать восемь 512-гигабитных V-NAND кристаллов пятого поколения. Однако на объеме 512 ГБ Samsung не остановится: представители компании заявили, что к концу года будут выпущены также модули на 1 ТБ. Что ж, смартфон с хранилищем на 1 ТБ стандарта eUFS 2.1, как и карта памяти на 1 ТБ от Lexar, уже существуют, значит самое время вводить новую спецификацию с более высокой скоростью чтения и записи.

Ну, а первым носителем памяти нового образца станет не кто иной, как Galaxy Fold, который обещают выпустить уже в апреле. Неудивительно, что Samsung использует свои же разработки в собственных смартфонах, однако и другие производители, вероятно, скоро станут клиентами южнокорейской компании, ведь за скоростной памятью – будущее мобильных устройств.

Источник(и)