Samsung представляет чип Qi 2.2 для беспроводной зарядки мощностью 50 Вт и магнитных зарядных устройств
Компания Samsung Semiconductor представила интегральную схему управления питанием (PMIC) S2MIW06 - чип, который, как утверждает компания, "переосмыслит будущее беспроводной зарядки" Этот чипсет действительно интригует, поскольку он может обеспечить более быструю беспроводную зарядку и новые функции в смартфонах Samsung.
Чип поддерживает беспроводную зарядку мощностью до 50 Вт, по сравнению с нынешними 25-45 Вт, поддерживаемыми смартфонами Samsung. Кроме того, он поддерживает стандарт Qi 2.2. В него входит профиль расширенной мощности (EPP), который позволяет заряжать телефоны мощностью 15 Вт с помощью зарядных устройств, не относящихся к Samsung. Кроме того, чипсет совместим с профилем Magnetic Power Profile (MPP), который поддерживает магнитные зарядные устройства и другие аксессуары, подобно Apple'MagSafe в iPhone 16.
Чтобы обеспечить широкую совместимость, микросхема Samsung S2MIW06 PMIC была протестирована с сотнями зарядных панелей, включая те, которые не имеют сертификации Qi. Благодаря 70 КБ встроенной флэш-памяти чип предоставляет значительно больше пространства для настройки встроенного ПО, чем большинство конкурентов. Например, прошивка позволяет на 15% уменьшить площадь материнской платы, используемую для обратной беспроводной зарядки.
Samsung Semiconductor пока не подтвердила, когда S2MIW06 PMIC будет поставляться и в каких смартфонах будет использоваться этот чип. Слухи предполагают, что Samsung Galaxy S25 Ultra будет поддерживать стандарт Qi2, но пока Samsung лишь подтвердил, что смартфон Galaxy с поддержкой Qi2 будет выпущен где-то в 2025 году.
Источник(и)
