Samsung в одном шаге от массового запуска 3-нм техпроцесса
Компания Samsung рискнула опробовать 3-нм техпроцесс и, в итоге, уже успела полностью завершить подготовку его квалификации. Дело в том, что технологии производства структур с транзисторами GAA (с использованием кольцевых затворов Gate-All-Around Early/Plus, 3GAAE/GAAP) совпадают на 90 % с производством структур FinFET, а остальные 10% легко подкорректировать, изменив часть фотошаблонов. Таким образом, переход на новый техпроцесс не создаст урона в бюджете компании.
В пресс-релизе Samsung упоминает технологию Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Её главная фишка в легкости трансформации производства транзисторов. Последние представляют собой вертикальные столбцы из нескольких наложенных друг на друга наностраниц (мостов), каждая из которых окружена собственным затвором. Такая структура позволяет варьировать количество и толщину элементов, формируя транзистор в зависимости от поставленной задачи. Компания Samsung уже успела создать опытный массив SRAM, характеристики которого пока что неизвестны, однако это первый представитель устройств, изготовленных по 3-нм техпроцессу.
Согласно интернет-источникам на конференции International Electronic Devices Meeting (IEDM 2018) представителем компании, доктором Юнгом (Dr. ES Jung), было сделано заявление о внедрении в массовое производство 3-нм техпроцесса уже с 2020 года, хотя ранее планировалось сделать это на год позже. Так как до назначенного срока еще есть время, технические разработчики Samsung посвятят его шлифовке деталей нового техпроцесса.
«Стахановское движение» компании объясняется целым рядом причин, как например, желание меньше зависеть от нестабильного рынка DRAM, догнать тайваньских конкурентов в лице TSMC, обогнавшей Samsung на этапе внедрения 7-нм техпроцесса, завоевать место в рыночном сегменте контрактных полупроводников и, конечно же, увеличить прибыль предприятия в этой отрасли, доведя ее до отметки в 10 млрд долларов.
Источник(и)
