TSMC приобретает систему High NA EUV стоимостью $350 млн. для разработки 1,4-нм чипов

Тайваньская корпорация по производству полупроводников (TSMC) собирается приобрести Новейшая система EUV-литографии ASML High NA к концу 2024 года, что станет шагом вперед для полупроводниковой промышленности. Машина, известная как Twinscan EXE:5000, стоит около $350 миллионов и оснащена самыми современными технологиями для производства микросхем.

Эта передовая система может похвастаться впечатляющим разрешением 8 нм и использует 13,5 нм длину волны EUV-излучения, позволяя чипмейкерам производить более компактные чипы и встраивать в них в 2,9 раза больше транзисторов, чем раньше. Компания TSMC планирует использовать эту технологию в своем предстоящем 1,4-нм (A14) процессе, надеясь запустить его в массовое производство к 2027 году.

Компания Intel уже стала первой, кто внедрил High NA EUV, установив две машины на своем заводе в Орегоне в начале 2024 года. Ожидается, что компания Samsung присоединится к ней в ближайшее время, скорее всего, к началу 2025 года. На данный момент Intel, Samsung и TSMC - единственные компании, которым подтвержден доступ к передовым технологиям ASML, в основном потому, что правила международной торговли не позволяют китайским компаниям получить их в свое распоряжение.

Несмотря на то, что компания ASML сообщила о 10-20 заказах на эти машины, запустить их в работу не так-то просто. Их огромные размеры означают, что производителям необходимо либо значительно модернизировать свои производственные мощности, либо даже построить новые. Кроме того, эти машины имеют меньшее поле формирования изображения, чем существующие системы NA EUV, а это значит, что архитектуру чипов придется переделывать.

Инвестиции TSMC в High NA EUV демонстрируют ее стремление оставаться впереди в производстве передовых микросхем, особенно в условиях продолжающегося роста рынка микросхем с искусственным интеллектом. Хотя до начала массового производства по этой технологии пройдет еще несколько лет, это уже шаг к следующему поколению полупроводникового производства.