Western Digital и Kioxia анонсировали выпуск 162-слойной 3D NAND-памяти 6 поколения

Western Digital и Kioxia сообщили о завершении разработки 3D NAND-памяти шестого поколения для SSD. В новом поколении количество слоев увеличено со 112 до 162, а размеры самого чипа уменьшены на 40%. В итоге, одна кремниевая пластина-заготовка с чипами вмещает на 70% больше битов по сравнению с предыдущим поколением.

За счет масштабируемости технологии, в шестом поколении плотность размещения ячеек увеличилась на 10%. За счет реализации технологии Circuit Under Array CMOS удалось поднять максимальную скорость памяти в 2.4 раза, а задержки уменьшить на 10% по сравнению с предыдущим поколением. Производительность памяти увеличилась на 66% (с 1066 до 1600 мегатранзакций в секунду). Однако, стоит отметить, что таких же результатов удалось добиться и SK Hynix, Micron и Samsung в их актуальной 176-слойной 3D NAND-памяти. YMTC все еще отстает (128-слойная память), а Intel и вовсе продала технологию 144-слойной памяти и все реализованные прототипы SK Hynix в прошлом году.

По идее, первые SSD на основе 162-слойной 3D NAND-памяти должны появиться не раньше первого квартала 2022 года. К тому времени WD и Kioxia вполне могут успеть анонсировать память седьмого поколения с 250+ слоями, в то время как следующие технологические рывки должны произойти в 2025 (если SK Hynix не сдвинет планы по разработке 500-слойной памяти) и в ~2030, когда может быть представлена 800-слойная память.