Notebookcheck Logo

Флеш-память NAND может подорожать

Стараниями Samsung ситуация на рынке флеш-памяти NAND вскоре может измениться (Изображение: ixbt)
Стараниями Samsung ситуация на рынке флеш-памяти NAND вскоре может измениться (Изображение: ixbt)
Как и прогнозировалось в прошлом году цены на флеш-память NAND становятся меньше, однако вскоре эта приятная тенденция может прекратиться. По прогнозам экспертов, к середине года стоимость накопителей возрастёт.

В прошлом году мы писали о том, что спрос на флеш-память NAND и DRAM, в связи с излишним количеством выпущенных чипов, снизился. Из-за этого аналитики рынка сделали прогноз о падении цен в 2019 году примерно на 30% для NAND и на 20% для DRAM. Оба типа памяти используются в твердотельных накопителях и при производстве модулей ОЗУ соответственно. Поэтому падение спроса на потребительскую электронику вместе с излишком флеш-накопителей на рынке спровоцировали падение цен на них.

Тем не менее, небезызвестной южнокорейской корпорации удалось переиграть ситуацию себе на пользу и даже, в некотором смысле, стать монополистом на рынке. Компания Samsung решила устранить проблему с производственными «залежами» и искусственно снизила цены на флеш-память NAND. Из-за этого, конкурентам, также желающим продать хоть что-то из своих запасов, пришлось сделать то же самое. Вот так южнокорейский гигант установил свои правила для целого рынка.

Следующий шаг Samsung – старт продаж высокоскоростной памяти eUFS 3.0 для мобильных устройств. Такие типы накопителей наверняка будут пользоваться спросом, даже на фоне постоянного снижения спроса на потребительскую электронику. Если дела пойдут так и дальше (и спрос на твердотельные накопители в серверном сегменте вырастет), то не иначе как к третьему кварталу текущего года приятная тенденция по снижению цен прекратиться или даже превратится в свою полную противоположность: увеличение ценников.

Источник(и)

Этот важный материал точно понравится твоим друзьям в социальных сетях!
Mail Logo
'
Alina Bakhvalova, 2019-03-13 (Update: 2019-03-13)